半導體中的電子和空穴，在熱平衡時，它們的濃度保持為一定的常數；但這是一種動態平衡，它們一邊復合、又一邊產生，在一定的溫度下即保持為確定的數值。例如n型半導體，在熱平衡情況下，如果再摻入施主使得電子濃度進一步增大，則電子與空穴復合的幾率也相應地增大，于是會導致少數載流子——空穴的濃度有明顯地降低。因此，半導體的摻雜濃度越高，多數載流子濃度就越大，而少數載流子濃度也就越小。半導體熱平衡載流子濃度之間存

半導體在任何溫度下，都將遵從熱平衡條件：np=ni2。因此多數載流子與少數載流子是相互制約著的。多數載流子主要來自于摻雜，而少數載流子都來自于本征激發（屬于本征載流子）。當通過摻雜、增大多數載流子濃度時，則多數載流子與少數載流子相互復合的機會增加，將使得少數載流子濃度減??；當升高溫度，少數載流子濃度將指數式增大，并且它與多數載流子相互復合的機會也增加，仍然維持著熱平衡關系。在溫度不是很高時，增加的

正解：實際上，電阻率很高的半導體，不一定都是本征半導體。首先要搞清楚本征半導體的實質。凡是兩種載流子都對導電起同樣作用的半導體，就稱為本征半導體。因此，平衡電子濃度和平衡空穴濃度相等的半導體，即為本征半導體；從而本征半導體的條件是：no=po=ni?？梢?，未摻雜的半導體確實是本征半導體，但是摻雜半導體在高溫下也可以轉變為本征半導體。因為多數載流子主要是由摻雜提供的，則在雜質全電離時，多數載流子濃度